Rapporto sul Mercato della Metrologia della Litografia a Estrema Ultravioletto (EUV) 2025: Analisi Approfondita dei Fattori di Crescita, Innovazioni Tecnologiche e Opportunità Globali. Esplora le Dimensioni del Mercato, le Dinamiche Competitive e le Prospettive Future.

• Sommario Esecutivo & Panoramica del Mercato
• Tendenze Tecnologiche Chiave nella Metrologia della Litografia EUV
• Panorama Competitivo e Attori Principali
• Previsioni di Crescita del Mercato (2025–2030): CAGR, Analisi dei Ricavi e dei Volumi
• Analisi del Mercato Regionale: Nord America, Europa, Asia-Pacifico e Resto del Mondo
• Sfide, Rischi e Barriere all’Entrata nel Mercato
• Opportunità e Raccomandazioni Strategiche
• Prospettive Future: Applicazioni Emergenti e Tendenze a Lungo Termine
• Fonti & Riferimenti

Sommario Esecutivo & Panoramica del Mercato

La Metrologia della Litografia a Estrema Ultravioletto (EUV) si riferisce al insieme di tecnologie di misurazione e ispezione essenziali per il monitoraggio, il controllo e l’ottimizzazione del processo di litografia EUV nella produzione di semiconduttori. Con l’avanzamento dell’industria dei semiconduttori verso nodi inferiori ai 5 nm, la litografia EUV è diventata l’abilitatore critico per la strutturazione di caratteristiche sempre più piccole sui wafer di silicio. Le soluzioni di metrologia sono indispensabili in questo contesto, garantendo precisione del processo, miglioramento del rendimento e riduzione dei difetti.

Nel 2025, il mercato globale della metrologia della litografia EUV è pronto per una crescita robusta, trainata dall’adozione rapida degli strumenti di litografia EUV da parte dei principali stabilimenti e dei produttori di dispositivi integrati (IDM). Il mercato è caratterizzato da un aumento degli investimenti in apparecchiature di metrologia avanzate, come microscopi elettronici a scansione per dimensioni critiche (CD-SEM), sistemi di metrologia di sovrapposizione e strumenti di ispezione actinica, tutti progettati per affrontare le sfide uniche della strutturazione EUV. La complessità dei processi EUV—come i difetti stocastici, gli effetti 3D delle maschere e la sensibilità ai resist—richiede soluzioni di metrologia altamente specializzate, alimentando la domanda di innovazione e precisione.

Secondo ASML Holding NV, il principale fornitore di sistemi di litografia EUV, il numero di sistemi EUV spediti e installati continua a crescere, con principali clienti come Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Samsung Electronics e Intel Corporation. Queste aziende stanno ampliando le linee di produzione EUV, il che a sua volta alimenta la necessità di metrologia avanzata per mantenere il rendimento e il throughput. Le ricerche di mercato di Gartner e SEMI prevedono che il mercato della metrologia e ispezione dei semiconduttori supererà gli 8 miliardi di dollari nel 2025, con una metrologia specifica per EUV che rappresenta un segmento significativo e in più rapida crescita.

• Fattori Chiave di Mercato: Riduzione delle geometrie dei dispositivi, crescente complessità dei processi e necessità di maggiore rendimento e affidabilità.
• Sfide: Alto costo degli strumenti di metrologia, barriere tecniche nell’ispezione actinica e integrazione con la produzione ad alto volume.
• Dinamiche Regionali: L’Asia-Pacifico guida l’adozione della metrologia EUV, con significativi investimenti da parte di fonderie a Taiwan e Corea del Sud, mentre gli Stati Uniti e l’Europa si concentrano su R&D e sviluppo di strumenti.

In sintesi, il mercato della metrologia della litografia EUV nel 2025 è definito da un’evoluzione tecnologica rapida, investimenti strategici da parte dei principali produttori di semiconduttori e un ruolo critico nell’abilitare la produzione di chip di nuova generazione.

Tendenze Tecnologiche Chiave nella Metrologia della Litografia EUV

La metrologia della litografia a estrema ultravioletto (EUV) sta subendo un’evoluzione tecnologica rapida man mano che l’industria dei semiconduttori si dirige verso nodi di processo inferiori a 5 nm e persino 2 nm. Nel 2025, diverse tendenze tecnologiche chiave stanno plasmando il panorama della metrologia, guidate dalla necessità di maggiore precisione, throughput e integrazione con sistemi avanzati di controllo del processo.

• Adozione Accresciuta di Metrologia In-Situ e Inline: I produttori di semiconduttori stanno integrando sempre di più gli strumenti di metrologia direttamente nelle tracce di litografia EUV. Questo consente il monitoraggio e il feedback in tempo reale, riducendo i tempi di ciclo e migliorando il rendimento. Aziende come ASML e KLA Corporation stanno guidando lo sviluppo di soluzioni di metrologia inline che possono misurare dimensioni critiche (CD), sovrapposizione e difettosità senza rimuovere i wafer dal flusso di produzione.
• Avanzamenti nella Scatterometria e Reflectometria: Le tecniche di metrologia ottica, in particolare la scatterometria e la reflectometria, stanno venendo perfezionate per affrontare le sfide uniche della strutturazione EUV, come caratteristiche ad alto rapporto d’aspetto e difetti stocastici. Questi metodi non distruttivi sono essenziali per caratterizzare le caratteristiche su scala atomica, e i fornitori stanno migliorando la loro sensibilità e accuratezza per soddisfare le esigenze di nodi avanzati (Semiconductor Digest).
• Emergenza della Metrologia Ibrida: La metrologia ibrida, che combina dati provenienti da più tecniche di misurazione (ad es., CD-SEM, AFM e ottiche), sta guadagnando terreno. Questo approccio sfrutta i punti di forza di ciascun metodo per fornire una comprensione più completa delle variazioni e dei difetti indotti da EUV. Hitachi High-Tech e Thermo Fisher Scientific sono tra le aziende che stanno avanzando piattaforme di metrologia ibrida.
• Analisi dei Dati Guidata dall’IA e Controllo del Processo: L’integrazione dell’intelligenza artificiale (IA) e del machine learning (ML) nei sistemi di metrologia consente analisi predittive, rilevamento di anomalie e aggiustamenti automatici del processo. Questo è particolarmente importante per EUV, dove effetti stocastici e variabilità del processo possono influenzare significativamente il rendimento (Gartner).
• Ispezione dei Difetti a Lunghezze d’Onda EUV: Lo sviluppo di strumenti di ispezione actinica (a lunghezza d’onda EUV) è una tendenza critica, poiché l’ispezione ottica tradizionale fatica con le dimensioni delle caratteristiche e i tipi di difetti unici delle maschere e dei wafer EUV. Hermes Microvision (ASML) e Nikon stanno investendo in tecnologie di ispezione actinica per affrontare queste sfide.

Queste tendenze tecnologiche stanno collettivamente consentendo all’industria dei semiconduttori di mantenere il passo con la Legge di Moore, nonostante la crescente complessità dei processi di litografia EUV nel 2025.

Panorama Competitivo e Attori Principali

Il panorama competitivo del mercato della metrologia della litografia a estrema ultravioletto (EUV) nel 2025 è caratterizzato da un gruppo concentrato di attori globali, ciascuno dei quali sfrutta portafogli tecnologici avanzati e partnership strategiche per affrontare i requisiti rigorosi della produzione di semiconduttori di nuova generazione. Il mercato è principalmente guidato dall’adozione crescente della litografia EUV nella produzione ad alto volume, in particolare per nodi di 7nm e inferiori, che richiedono soluzioni di metrologia altamente precise per il controllo del processo e l’ottimizzazione del rendimento.

I principali attori che dominano il segmento della metrologia della litografia EUV includono ASML Holding NV, KLA Corporation, Hitachi High-Tech Corporation e Applied Materials, Inc. Queste aziende si sono affermate come leader tecnologici attraverso investimenti sostenuti in R&D, piattaforme di metrologia proprietarie e stretta collaborazione con fonderie e produttori di dispositivi integrati (IDM) di primo piano.

• ASML Holding NV rimane il leader indiscusso nei sistemi di litografia EUV e ha ampliato la sua offerta di metrologia attraverso sviluppo interno e acquisizioni. Il suo approccio olistico alla litografia integra strumenti di metrologia e ispezione con sistemi di esposizione, consentendo un’ottimizzazione del processo end-to-end per clienti come TSMC e Samsung Electronics.
• KLA Corporation è una forza dominante nel controllo del processo e nella metrologia, offrendo soluzioni avanzate per sovrapposizione, dimensione critica (CD) e ispezione dei difetti adattate agli ambienti EUV. Il portafoglio di KLA è ampiamente adottato da fonderie all’avanguardia, e l’azienda continua a innovare nella metrologia e-beam e ottica per nodi inferiori ai 5nm.
• Hitachi High-Tech Corporation è specializzata in sistemi CD-SEM (microscopi elettronici a scansione per dimensioni critiche), essenziali per la metrologia delle maschere e dei wafer EUV. Gli strumenti dell’azienda sono riconosciuti per la loro alta risoluzione e throughput, supportando i rigorosi requisiti del controllo del processo EUV.
• Applied Materials, Inc. ha rafforzato la propria posizione attraverso lo sviluppo di piattaforme avanzate di metrologia e ispezione, inclusi e-beam e soluzioni ottiche, e formando alleanze strategiche con i principali produttori di chip per ottimizzare congiuntamente i passaggi del processo e della metrologia.

Le dinamiche competitive sono ulteriormente influenzate dai nuovi arrivati e dai fornitori di tecnologie di nicchia che si concentrano su tecniche di metrologia innovative, come l’ispezione actinica e il monitoraggio dei processi in-situ. Tuttavia, le barriere all’entrata rimangono elevate a causa della complessità dei processi EUV, della necessità di significativi investimenti di capitale e dell’importanza delle relazioni con i clienti consolidate. Con l’industria che si dirige verso 3nm e oltre, ci si aspetta che i principali attori intensifichino i propri sforzi di R&D e collaborazioni strategiche per mantenere la leadership tecnologica e la quota di mercato.

Previsioni di Crescita del Mercato (2025–2030): CAGR, Analisi dei Ricavi e dei Volumi

Il mercato della metrologia della litografia a estrema ultravioletto (EUV) è pronto per una crescita robusta tra il 2025 e il 2030, trainata dall’adozione accelerata della litografia EUV nella produzione avanzata di semiconduttori. Secondo le proiezioni di MarketsandMarkets, il mercato globale della litografia EUV—comprese le soluzioni di metrologia—è previsto registrare un tasso di crescita annuale composto (CAGR) di circa il 28% durante questo periodo. Questo aumento è attribuito alla crescente domanda di chip a nodo sub-7nm e 5nm, che richiedono strumenti di metrologia altamente precisi per garantire la fedeltà dei modelli e l’ottimizzazione del rendimento.

In termini di ricavi, il segmento della metrologia della litografia EUV è previsto raggiungere un valore di mercato superiore a 2,5 miliardi di dollari entro il 2030, rispetto a una stima di 800 milioni di dollari nel 2025. Questa crescita è supportata da significativi investimenti da parte delle principali fonderie di semiconduttori come TSMC, Samsung Electronics e Intel, tutte le quali stanno ampliando le loro capacità di produzione EUV e, di conseguenza, la loro infrastruttura di metrologia.

In termini di volume, il numero di sistemi di metrologia EUV spediti a livello globale è previsto crescere a un CAGR di oltre il 25% dal 2025 al 2030, come riportato da SEMI. La proliferazione di strumenti di metrologia avanzati—tra cui ispezioni actiniche, microscopi elettronici a scansione per dimensioni critiche (CD-SEMs) e sistemi di metrologia di sovrapposizione—sarà essenziale per supportare la crescente complessità della strutturazione e della rilevazione dei difetti EUV.

• L’Asia-Pacifico è previsto dominare il mercato, rappresentando oltre il 60% del ricavo globale entro il 2030, sostenuto da espansioni aggressive delle fonderie a Taiwan, Corea del Sud e Cina.
• Il Nord America manterrà una quota significativa, supportata da investimenti in corso nella produzione di semiconduttori nazionali e nelle iniziative di R&D.
• L’Europa è anche destinata a una crescita costante, sostenuta dalla presenza di fornitori chiave di attrezzature come ASML e programmi di ricerca collaborativa dell’UE.

In generale, il periodo 2025–2030 vedrà il mercato della metrologia della litografia EUV passare da un segmento di nicchia a un abilitante critico della produzione di semiconduttori di nuova generazione, con una forte crescita a doppia cifra sia nei ricavi che nelle spedizioni di sistemi.

Analisi del Mercato Regionale: Nord America, Europa, Asia-Pacifico e Resto del Mondo

Il mercato globale della metrologia della litografia a estremi ultravioletto (EUV) sta vivendo tendenze regionali dinamiche, con il Nord America, l’Europa, l’Asia-Pacifico e il Resto del Mondo (RoW) che giocano ciascuno ruoli distinti nell’evoluzione dell’industria nel 2025.

Il Nord America rimane un hub critico per la metrologia della litografia EUV, guidato dalla presenza di importanti produttori di semiconduttori e da robusti investimenti in R&D. Gli Stati Uniti, in particolare, beneficiano della leadership tecnologica di aziende come Intel Corporation e delle soluzioni avanzate di metrologia sviluppate da società come KLA Corporation. Il focus della regione sulla produzione di chip di nuova generazione e le iniziative del governo per rafforzare la produzione nazionale di semiconduttori sono previsti sostenere una forte domanda di strumenti di metrologia EUV nel 2025.

L’Europa si distingue per la sua dominanza nella produzione di attrezzature per litografia EUV, con ASML Holding con sede nei Paesi Bassi che funge da unico fornitore mondiale di scanner EUV. Questa leadership si estende alla metrologia, poiché le aziende europee collaborano strettamente con ASML per sviluppare e integrare soluzioni di metrologia avanzate per i processi EUV. Il “Chips Act” dell’Unione Europea e investimenti strategici nell’infrastruttura dei semiconduttori stanno ulteriormente catalizzando la crescita regionale, con Germania e Paesi Bassi in prima linea nell’adozione e nell’innovazione.

L’Asia-Pacifico è la regione a più rapida crescita nel mercato della metrologia della litografia EUV, trainata da espansioni aggressive della capacità delle fonderie come TSMC a Taiwan e Samsung Electronics in Corea del Sud. La dominanza della regione nella fabbricazione di semiconduttori a livello globale, unita agli incentivi governativi e al focus sulla produzione di nodi avanzati, sta guidando significativi investimenti nella metrologia EUV. La Cina sta anche intensificando gli sforzi per localizzare la produzione di strumenti di metrologia, anche se rimane dipendente dalle importazioni per i sistemi più avanzati fino al 2025.

• Nord America: Innovazione guidata, forte R&D e supporto governativo.
• Europa: Leadership nella produzione di attrezzature, supporto politici strategici.
• Asia-Pacifico: Rapida espansione della capacità, dominanza delle fonderie e crescente sviluppo locale degli strumenti.
• Resto del Mondo: Adozione limitata ma crescente, principalmente nei mercati emergenti dei semiconduttori in Medio Oriente e nel Sud-est asiatico, spesso attraverso partnership con attori globali consolidati.

In generale, le dinamiche regionali nel 2025 riflettono una combinazione di leadership tecnologica, iniziative politiche e scala produttiva, con l’Asia-Pacifico che si prevede supererà le altre regioni nella crescita del mercato, mentre Nord America e Europa manterranno le loro posizioni rispettive come leader nell’innovazione e nelle attrezzature (SEMI, Gartner).

Sfide, Rischi e Barriere all’Entrata nel Mercato

Il mercato della metrologia della litografia a estremi ultravioletto (EUV) affronta una complessa serie di sfide, rischi e barriere all’ingresso man mano che evolve nel 2025. La principale sfida deriva dalla sofisticazione tecnica richiesta per misurare e controllare caratteristiche a scala sub-7nm, dove la litografia EUV ha il massimo impatto. Gli strumenti di metrologia devono fornire una precisione e un’accuratezza senza precedenti, spesso a livelli atomici o quasi atomici, per garantire il rendimento e le prestazioni nella produzione avanzata di semiconduttori. Questo richiede un’innovazione continua sia nell’hardware che nel software, aumentando i costi di R&D e allungando i tempi di sviluppo.

Un rischio significativo è la dipendenza da un numero limitato di fornitori per componenti critici, come ottiche a alta NA e sorgenti di luce EUV. Ad esempio, ASML Holding domina il mercato delle attrezzature per litografia EUV, e le sue soluzioni di metrologia sono strettamente integrate con i suoi sistemi di litografia. Questa concentrazione aumenta la vulnerabilità della catena di approvvigionamento e può portare a colli di bottiglia o ritardi in caso di interruzioni. Inoltre, l’elevato capitale necessario per sviluppare e implementare strumenti di metrologia EUV—che spesso supera le decine di milioni di dollari per unità—rappresenta una sostanziale barriera finanziaria per nuovi entranti e anche per attori affermati che cercano di espandere la capacità.

La protezione della proprietà intellettuale (IP) e la conformità normativa complicano ulteriormente l’ingresso nel mercato. Lo spazio della metrologia EUV è caratterizzato da un paesaggio fitto di brevetti e tecnologie proprietarie, rendendo difficile per i nuovi arrivati innovare senza violare IP esistenti. Inoltre, i controlli all’esportazione e le tensioni geopolitiche, in particolare tra Stati Uniti, Cina e UE, possono limitare l’accesso a tecnologie e mercati critici, come evidenziato dalle recenti restrizioni all’esportazione su attrezzature avanzate per semiconduttori da parte del Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti (U.S. Department of Commerce).

• Complessità Tecnica: Raggiungere la precisione di misurazione richiesta per i processi EUV richiede ingegneria avanzata e notevole esperienza, limitando il numero di nuovi entranti capaci.
• Elevati Requisiti di Capitale: Il costo di R&D, produzione e qualificazione degli strumenti di metrologia EUV è proibitivo, richiedendo spesso partnership o notevoli sostegni finanziari.
• Rischi della Catena di Fornitura: La dipendenza da fornitori specializzati per ottiche, rivelatori e sorgenti EUV aumenta l’esposizione a interruzioni.
• Barriere Regolatorie e IP: Affrontare i controlli all’esportazione e prevenire le violazioni della proprietà intellettuale sono ostacoli critici per i partecipanti al mercato.

Questi fattori creano complessivamente un’elevata barriera all’ingresso, a favore degli attori affermati con approfondite competenze tecniche, catene di approvvigionamento robuste e solide proprietà intellettuali. Di conseguenza, il mercato della metrologia della litografia EUV nel 2025 rimane altamente consolidato, con limitate opportunità per nuovi partecipanti a meno che non portino innovazioni dirompenti o formino alleanze strategiche con gli attuali operatori.

Opportunità e Raccomandazioni Strategiche

Il mercato della metrologia della litografia a estrema ultravioletto (EUV) nel 2025 è pronto per una significativa crescita, guidata dall’aumento dell’adozione della litografia EUV nella produzione avanzata di semiconduttori. Man mano che i produttori di chip si spostano verso nodi sub-7nm e 5nm, la domanda di soluzioni di metrologia precise per monitorare e controllare il processo EUV sta intensificandosi. Questo crea diverse opportunità chiave e raccomandazioni strategiche per gli attori del settore.

• Espansione nella Produzione di Nodi Avanzati: La proliferazione di strumenti EUV nella produzione ad alto volume, in particolare da parte di fonderie e produttori di dispositivi integrati di primo piano, sta accelerando la necessità di soluzioni di metrologia avanzate. Le aziende dovrebbero concentrarsi sullo sviluppo di sistemi di metrologia in grado di affrontare le sfide uniche dell’EUV, come difetti stocastici e controllo della sovrapposizione a scale atomiche. Partnership strategiche con principali produttori di chip come TSMC e Samsung Electronics possono fornire accesso anticipato ai requisiti in evoluzione e promuovere opportunità di co-sviluppo.
• Integrazione di IA e Machine Learning: La complessità dei processi EUV richiede l’uso di intelligenza artificiale (IA) e machine learning (ML) per l’analisi dei dati in tempo reale e il rilevamento dei difetti. I fornitori di metrologia dovrebbero investire in piattaforme analitiche sostenute dall’IA per migliorare il controllo del processo e la gestione del rendimento, differenziando le loro offerte in un panorama competitivo.
• Focus sulla Metrologia In-Line e In-Situ: Man mano che le fabbriche cercano di ridurre i tempi di inattività e massimizzare il throughput, c’è una crescente preferenza per soluzioni di metrologia in-line e in-situ. Aziende come KLA Corporation e ASML Holding stanno già facendo progressi in questo settore. I nuovi arrivati dovrebbero dare priorità allo sviluppo di strumenti di metrologia non distruttivi e ad alta velocità che possano essere integrati senza problemi nelle linee di produzione EUV.
• Espansione Geografica e Localizzazione: Con la spinta globale per la resilienza della catena di approvvigionamento dei semiconduttori, esistono opportunità di espandere il supporto e l’infrastruttura di servizio della metrologia in regioni chiave come Stati Uniti, Europa e Est Asia. Stabilire centri di R&D e di supporto ai clienti locali può aiutare a catturare quota di mercato e rispondere rapidamente alle esigenze dei clienti.
• Collaborazione con Consorzi di Ricerca: Collaborare con consorzi industriali come imec e SEMATECH può accelerare l’innovazione e la standardizzazione nella metrologia EUV, garantendo l’allineamento con le roadmap dell’industria e facilitando l’adozione precoce di nuove tecnologie.

In sintesi, il mercato della metrologia della litografia EUV nel 2025 offre robuste opportunità di crescita attraverso innovazione tecnologica, partnership strategiche ed espansione geografica. Le aziende che affrontano proattivamente le esigenze in evoluzione della produzione avanzata di semiconduttori saranno ben posizionate per catturare valore in questo settore dinamico.

Prospettive Future: Applicazioni Emergenti e Tendenze a Lungo Termine

Le prospettive future per la metrologia della litografia a estremi ultravioletto (EUV) sono modellate dalla rapida evoluzione della produzione di semiconduttori, con applicazioni emergenti e tendenze a lungo termine che indicano un’adozione crescente e una sofisticatezza tecnologica attraverso il 2025 e oltre. Mentre i produttori di chip spingono verso nodi inferiori a 5 nm e persino 2 nm, la domanda di soluzioni di metrologia precise e ad alto throughput sta intensificandosi. La metrologia EUV dovrebbe svolgere un ruolo fondamentale nell’abilitare questi nodi avanzati, soprattutto mentre le tecniche di metrologia ottica tradizionali raggiungono i loro limiti fisici e tecnici.

Le applicazioni emergenti per la metrologia EUV sono strettamente legate all’integrazione di sistemi di litografia EUV a Alta NA (Apertura Numerica), previsti entrare in produzione pilota nel 2025. Questi sistemi richiedono strumenti di metrologia in grado di risolvere caratteristiche sempre più piccole e strutture 3D complesse, come i transistor gate-all-around (GAA) e le architetture di memoria avanzate. Il settore sta assistendo a un passaggio verso soluzioni di metrologia in-line e in tempo reale che possono fornire feedback immediato durante il processo di litografia, riducendo i tempi di ciclo e migliorando il rendimento. Aziende come ASML e KLA Corporation stanno investendo pesantemente nello sviluppo di strumenti di ispezione e metrologia actinici (a lunghezza d’onda EUV) per affrontare queste esigenze.

Le tendenze a lungo termine indicano una convergenza della metrologia con l’intelligenza artificiale (IA) e il machine learning (ML) per migliorare il rilevamento dei difetti, il controllo del processo e la manutenzione predittiva. L’integrazione di analisi guidate dall’IA è prevista diventare uno standard, consentendo un’interpretazione più rapida dei dati metrologici complessi e un’ottimizzazione del processo più adattativa. Inoltre, la crescente complessità delle maschere e delle pellicole EUV sta guidando la domanda di avanzate soluzioni di metrologia e ispezione delle maschere, come evidenziato in recenti analisi di mercato da TechInsights e SEMI.

• Espansione della metrologia actinica per ispezioni dirette a lunghezze d’onda EUV
• Adozione di approcci di metrologia ibrida che combinano più tecniche di misurazione
• Aumento dell’automazione e integrazione dell’IA per il controllo del processo in tempo reale
• Sviluppo di soluzioni di metrologia per nuove architetture di dispositivi (ad es., GAA, 3D NAND)

Entro il 2025, si prevede che il mercato della metrologia della litografia EUV vedrà una crescita robusta, sostenuta dalla transizione a nodi avanzati e dalla necessità di un rendimento superiore e una minore difettosità. L’evoluzione del settore sarà fondamentale nel sostenere la roadmap dell’industria dei semiconduttori, garantendo che la scalabilità continui in linea con la Legge di Moore e le esigenze delle applicazioni di nuova generazione come IA, 5G e elaborazione ad alte prestazioni (Gartner).

Fonti & Riferimenti

• ASML Holding NV
• KLA Corporation
• Hitachi High-Tech
• Thermo Fisher Scientific
• Nikon
• MarketsandMarkets
• imec
• TechInsights