Extreme Ultraviolet Lithografie Metrologie Markt Rapport 2025: Diepgaande Analyse van Groei Drivers, Technologie Innovaties en Wereldwijde Kansen. Verken Marktgrootte, Concurrerende Dynamiek en Toekomstvisie.

• Executive Summary & Markt Overzicht
• Belangrijke Technologie Trends in EUV Lithografie Metrologie
• Concurrentielandschap en Leidinggevende Spelers
• Markt Groei Prognoses (2025–2030): CAGR, Omzet en Volume Analyse
• Regionale Markt Analyse: Noord-Amerika, Europa, Azië-Pacific en Rest van de Wereld
• Uitdagingen, Risico’s en Markttoegangsbarrières
• Kansen en Strategische Aanbevelingen
• Toekomstvisie: Opkomende Toepassingen en Lange Termijn Trends
• Bronnen & Referenties

Executive Summary & Markt Overzicht

Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie verwijst naar de reeks meet- en inspectietechnologieën die essentieel zijn voor het monitoren, controleren en optimaliseren van het EUV-lithografieproces in de halfgeleiderproductie. Naarmate de halfgeleiderindustrie zich ontwikkelt naar sub-5nm knooppunten, is EUV-lithografie de kritische factor geworden voor het patenteren van steeds kleinere features op siliciumwafers. Metrologieoplossingen zijn onmisbaar in deze context, om procesnauwkeurigheid, opbrengstverbetering en defectreductie te waarborgen.

In 2025 staat de wereldwijde EUV-lithografie metrologie markt op het punt om robuuste groei door te maken, aangedreven door de snelle adoptie van EUV-lithografietools door toonaangevende foundries en geïntegreerde fabrikanten (IDM’s). De markt wordt gekenmerkt door toenemende investeringen in geavanceerde metrologieapparatuur, zoals kritische dimensie scan-elektronenmicroscopieën (CD-SEMs), overlay metrologie systemen en actinische inspectiehulpmiddelen, die allemaal zijn afgestemd op de unieke uitdagingen van EUV-patterning. De complexiteit van EUV-processen—zoals stochastische defecten, maskers 3D-effecten en resistgevoeligheid—vereist zeer gespecialiseerde metrologieoplossingen, waardoor de vraag naar innovatie en precisie wordt aangewakkerd.

Volgens ASML Holding NV, de belangrijkste leverancier van EUV-lithografiesystemen, blijft het aantal geleverde en geïnstalleerde EUV-systemen toenemen, met belangrijke klanten zoals Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Samsung Electronics en Intel Corporation. Deze bedrijven schalen hun EUV-productielijnen op, wat op zijn beurt de behoefte aan geavanceerde metrologie stimuleert om de opbrengst en doorvoer te behouden. Marktonderzoek van Gartner en SEMI voorspelt dat de markt voor halfgeleider metrologie en inspectie in 2025 meer dan $8 miljard zal overschrijden, waarbij EUV-specifieke metrologie een significante en snelgroeiende segment vertegenwoordigt.

• Belangrijkste Markt Drivers: Krimpende apparaatgeometrieën, toenemende procescomplexiteit en de behoefte aan hogere opbrengst en betrouwbaarheid.
• Uitdagingen: Hoge kosten van metrologiehulpmiddelen, technische barrières in actinische inspectie en integratie met hoge-volume productie.
• Regionale Dynamiek: Azië-Pacific leidt in EUV metrologie adoptie, met significante investeringen van foundries in Taiwan en Zuid-Korea, terwijl de VS en Europa zich richten op R&D en toolontwikkeling.

Samengevat wordt de EUV-lithografie metrologie markt in 2025 gekenmerkt door snelle technologische evolutie, strategische investeringen door toonaangevende halfgeleiderfabrikanten en een cruciale rol in het mogelijk maken van de productie van chips van de volgende generatie.

Belangrijke Technologie Trends in EUV Lithografie Metrologie

Extreme Ultraviolet (EUV) lithografie metrologie ondergaat een snelle technologische evolutie naarmate de halfgeleiderindustrie zich richt op sub-5nm en zelfs 2nm proces knooppunten. In 2025 vormen verschillende belangrijke technologie trends het metrologie landschap, gedreven door de behoefte aan hogere precisie, doorvoer en integratie met geavanceerde procescontrole systemen.

• Toegenomen Adoptie van In-Situ en Inline Metrologie: Halfgeleiderfabrikanten integreren steeds vaker metrologiehulpmiddelen rechtstreeks in EUV-lithografie sporen. Dit maakt real-time monitoring en feedback mogelijk, vermindert cyclustijden en verbetert de opbrengst. Bedrijven zoals ASML en KLA Corporation leiden de ontwikkeling van inline metrologieoplossingen die kritische dimensies (CD), overlay en defectiviteit kunnen meten zonder wafers uit de productieflow te verwijderen.
• Vooruitgang in Scatterometrie en Reflectometrie: Optische metrologietechnieken, met name scatterometrie en reflectometrie, worden verfijnd om de unieke uitdagingen van EUV-patterning aan te pakken, zoals functies met een hoge aspectverhouding en stochastische defecten. Deze niet-destructieve methoden zijn essentieel voor het karakteriseren van kenmerken op atomair niveau, en leveranciers verbeteren hun gevoeligheid en nauwkeurigheid om te voldoen aan de eisen van geavanceerde knooppunten (Semiconductor Digest).
• Opkomst van Hybride Metrologie: Hybride metrologie, die gegevens van meerdere meettechnieken combineert (bijv. CD-SEM, AFM en optisch), wint aan terrein. Deze benadering benut de sterke punten van elke methode om een completer begrip te bieden van EUV-geïnduceerde variaties en defecten. Hitachi High-Tech en Thermo Fisher Scientific zijn enkele van de bedrijven die hybride metrologieplatforms ontwikkelen.
• AI-gedreven Gegevensanalyse en Procescontrole: De integratie van kunstmatige intelligentie (AI) en machine learning (ML) in metrologiesystemen stelt voorspellende analyses, anomaliedetectie en geautomatiseerde procesaanpassingen in staat. Dit is bijzonder belangrijk voor EUV, waar stochastische effecten en procesvariabiliteit de opbrengst aanzienlijk kunnen beïnvloeden (Gartner).
• Defectinspectie bij EUV-golflengten: De ontwikkeling van actinische (EUV-golflengte) inspectietools is een kritieke trend, aangezien traditionele optische inspectie worstelt met de kleinere features en unieke defecttypes van EUV-maskers en wafers. Hermes Microvision (ASML) en Nikon investeren in actinische inspectietechnologieën om deze uitdagingen aan te pakken.

Deze technologie trends stellen de halfgeleiderindustrie in staat om het tempo van Moore’s Law te behouden, ondanks de toenemende complexiteit van EUV-lithografieprocessen in 2025.

Concurrentielandschap en Leidinggevende Spelers

Het concurrentielandschap van de Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie markt in 2025 wordt gekenmerkt door een geconcentreerde groep wereldspelers, die allemaal gebruik maken van geavanceerde technologieportefeuilles en strategische partnerschappen om te voldoen aan de strenge eisen van de productie van halfgeleiders van de volgende generatie. De markt wordt voornamelijk gedreven door de toenemende adoptie van EUV-lithografie in hoge-volume productie, met name voor knooppunten van 7nm en lager, wat uiterst nauwkeurige metrologieoplossingen vereist voor procescontrole en opbrengstoptimalisatie.

Belangrijke spelers die de EUV-lithografie metrologie segment domineren zijn onder andere ASML Holding NV, KLA Corporation, Hitachi High-Tech Corporation, en Applied Materials, Inc.. Deze bedrijven hebben zichzelf gepositioneerd als technologie leiders door middel van voortdurende R&D-investeringen, eigen metrologieplatforms en nauwe samenwerkingen met toonaangevende foundries en geïntegreerde fabrikanten (IDM’s).

• ASML Holding NV blijft de onbetwiste leider in EUV-lithografiesystemen en heeft zijn metrologie aanbiedingen uitgebreid door interne ontwikkeling en overnames. De holistische lithografieaanpak integreert metrologie- en inspectietools met blootstelling systemen, waardoor end-to-end procesoptimalisatie mogelijk is voor klanten zoals TSMC en Samsung Electronics.
• KLA Corporation is een dominante kracht in procescontrole en metrologie en biedt geavanceerde overlays, kritische dimensie (CD) en defectinspectieoplossingen die zijn afgestemd op EUV-omgevingen. De portefeuille van KLA is wijdverspreid geadopteerd door state-of-the-art fabs, en het bedrijf blijft innoveren in e-beam en optische metrologie voor sub-5nm knooppunten.
• Hitachi High-Tech Corporation is gespecialiseerd in CD-SEM (critical dimension scanning electron microscope) systemen, die essentieel zijn voor EUV-masker- en wafermetrologie. De tools van het bedrijf zijn erkend om hun hoge resolutie en doorvoer, wat de strenge eisen van EUV-procescontrole ondersteunt.
• Applied Materials, Inc. heeft zijn positie versterkt door de ontwikkeling van geavanceerde metrologie- en inspectieplatforms, inclusief e-beam en optische oplossingen, en door strategische allianties te vormen met belangrijke chipmakers om proces- en metrologiestappen gezamenlijk te optimaliseren.

De concurrentiedynamiek wordt verder vormgegeven door opkomende spelers en niche technologieaanbieders die zich richten op nieuwe metrologietechnieken, zoals actinische inspectie en in-situ procesmonitoring. De barrières voor toetreding blijven echter hoog vanwege de complexiteit van EUV-processen, de noodzaak van aanzienlijke kapitaalinvesteringen en het belang van gevestigde klantrelaties. Naarmate de industrie zich richt op 3nm en daarboven, wordt verwacht dat de leidende spelers hun R&D-inspanningen en strategische samenwerkingen zullen intensiveren om technologische leiderschap en marktaandeel te behouden.

Markt Groei Prognoses (2025–2030): CAGR, Omzet en Volume Analyse

De Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie markt is poised voor robuuste groei tussen 2025 en 2030, aangedreven door de versnelde adoptie van EUV-lithografie in de geavanceerde halfgeleiderproductie. Volgens prognoses van MarketsandMarkets wordt verwacht dat de wereldwijde EUV-lithografiemarkt—waaronder metrologieoplossingen—een samengestelde jaarlijkse groei (CAGR) van ongeveer 28% zal registreren tijdens deze periode. Deze stijging wordt toegeschreven aan de toenemende vraag naar sub-7nm en 5nm knooppunten, die uiterst nauwkeurige metrologiehulpmiddelen vereisen om patroon trouw en opbrengstoptimalisatie te waarborgen.

In termen van omzet wordt verwacht dat het EUV-lithografie metrologie segment een marktwaarde van meer dan USD 2,5 miljard zal bereiken tegen 2030, in vergelijking met een geschatte USD 800 miljoen in 2025. Deze groei wordt ondersteund door significante investeringen van vooraanstaande halfgeleiderfoundries zoals TSMC, Samsung Electronics en Intel, die allemaal hun EUV-productiecapaciteiten uitbreiden en bijgevolg hun metrologie-infrastructuur vergroten.

Wat betreft volume wordt verwacht dat het aantal wereldwijd geleverde EUV-metrologiesystemen zal groeien met een CAGR van meer dan 25% van 2025 tot 2030, zoals gerapporteerd door SEMI. De proliferatie van geavanceerde metrologiehulpmiddelen—includingactinische inspectie, kritische dimensie scan-elektronenmicroscopieën (CD-SEMs) en overlay metrologie systemen—zal essentieel zijn om de toenemende complexiteit van EUV-patterning en defectdetectie te ondersteunen.

• Azië-Pacific zal naar verwachting de markt domineren, goed voor meer dan 60% van de wereldwijde omzet tegen 2030, aangedreven door agressieve fab-uitbreidingen in Taiwan, Zuid-Korea en China.
• Noord-Amerika zal een aanzienlijk marktaandeel behouden, versterkt door voortdurende investeringen in binnenlandse halfgeleiderproductie en R&D-initiatieven.
• Europa zal ook een gestage groei doormaken, ondersteund door de aanwezigheid van belangrijke apparatuur leveranciers zoals ASML en samenwerkende EU-onderzoeksprogramma’s.

Over het algemeen zal de periode 2025–2030 de EUV-lithografie metrologie markt zien overgaan van een niche segment naar een kritische enabler van de productie van halfgeleiders van de volgende generatie, met sterke dubbele groei in zowel omzet als systeembezorging.

Regionale Markt Analyse: Noord-Amerika, Europa, Azië-Pacific en Rest van de Wereld

De wereldwijde markt voor Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie ondergaat dynamische regionale trends, waarbij Noord-Amerika, Europa, Azië-Pacific en de Rest van de Wereld (RoW) elk unieke rollen spelen in de evolutie van de industrie in 2025.

Noord-Amerika blijft een cruciaal knooppunt voor EUV-lithografie metrologie, gedreven door de aanwezigheid van toonaangevende halfgeleiderfabrikanten en robuuste R&D-investeringen. De Verenigde Staten profiteren met name van de technologische leiderschap van bedrijven zoals Intel Corporation en de geavanceerde metrologieoplossingen die door firma’s zoals KLA Corporation zijn ontwikkeld. De focus van de regio op chipproductie van de volgende generatie en door de overheid gesteunde initiatieven om de binnenlandse halfgeleiderproductie te versterken, zullen naar verwachting de vraag naar EUV metrologiehulpmiddelen in 2025 handhaven.

Europa wordt gekenmerkt door zijn dominantie in de productie van EUV-lithografiemachines, met ASML Holding met hoofdkantoor in Nederland als de enige leverancier van EUV-scanners ter wereld. Deze leiderschap strekt zich uit tot metrologie, aangezien Europese bedrijven nauw samenwerken met ASML om geavanceerde metrologieoplossingen te ontwikkelen en te integreren die zijn afgestemd op EUV-processen. De “Chips Act” van de Europese Unie en strategische investeringen in halfgeleiderinfrastructuur zijn verder aan het versnellen van de regionale groei, met Duitsland en Nederland voorop in adoptie en innovatie.

Azië-Pacific is de snelstgroeiende regio in de EUV-lithografie metrologie markt, aangedreven door agressieve capaciteitsuitbreidingen van foundries zoals TSMC in Taiwan en Samsung Electronics in Zuid-Korea. De dominantie van de regio in de wereldwijde halfgeleiderfabricage, in combinatie met overheidssteun en een focus op geavanceerde knooppuntproductie, leidt tot aanzienlijke investeringen in EUV metrologie. China verhoogt ook zijn inspanningen om de productie van metrologiehulpmiddelen te lokaliserend, hoewel het afhankelijk blijft van import voor de meest geavanceerde systemen vanaf 2025.

• Noord-Amerika: Innovatiegedreven, sterke R&D, en overheidssteun.
• Europa: Leiderschap in apparatuurproductie, strategische beleidssteun.
• Azië-Pacific: Snelle capaciteitsuitbreiding, foundrydominantie, en toenemende lokale toolontwikkeling.
• Rest van de Wereld: Beperkte maar groeiende adoptie, voornamelijk in opkomende halfgeleidermarkten in het Midden-Oosten en Zuidoost-Azië, vaak door partnerships met gevestigde wereldspelers.

Over het algemeen weerspiegelen regionale dynamieken in 2025 een combinatie van technologische leiderschap, beleidsinitiatieven en productieschaal, waarbij Azië-Pacific naar verwachting andere regio’s in marktgroei zal overtreffen, terwijl Noord-Amerika en Europa hun posities als leiders in innovatie en apparatuur respectievelijk handhaven (SEMI, Gartner).

Uitdagingen, Risico’s en Markttoegangsbarrières

De Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie markt staat in 2025 voor een complex scala aan uitdagingen, risico’s en toetredingsbarrières. De primaire uitdaging is de technische verfijning die nodig is om functies op de sub-7nm-schaal te meten en te controleren, waar EUV-lithografie het meest impactvol is. Metrologiehulpmiddelen moeten ongekende precisie en nauwkeurigheid leveren, vaak op atomair of bijna-atomair niveau, om opbrengst en prestaties in geavanceerde halfgeleiderproductie te waarborgen. Dit vereist continue innovatie in zowel hardware als software, wat de R&D-kosten verhoogt en de ontwikkelingstijd verlengt.

Een aanzienlijk risico is de afhankelijkheid van een beperkt aantal leveranciers voor kritische componenten, zoals hoge-NA optiek en EUV-lichtbronnen. Bijvoorbeeld, ASML Holding domineert de EUV-lithografieapparatuurmarkt en zijn metrologie oplossingen zijn nauw geïntegreerd met zijn lithografiesystemen. Deze concentratie verhoogt de kwetsbaarheid van de toeleveringsketen en kan leiden tot knelpunten of vertragingen als er verstoringen optreden. Bovendien vormt de hoge kapitaaluitgave die nodig is om EUV metrologiehulpmiddelen te ontwikkelen en in te zetten—vaak meer dan tientallen miljoenen dollars per eenheid—een substantiële financiële barrière voor nieuwe toetreders en zelfs gevestigde spelers die hun capaciteit willen uitbreiden.

Intellectuele eigendomsbescherming (IP) en naleving van regelgeving compliceren daarnaast de markttoegang. De EUV metrologie ruimte wordt gekenmerkt door een dichte landschap van patenten en eigentijdse technologieën, waardoor het voor nieuwkomers uitdagend is om te innoveren zonder inbreuk te maken op bestaande IP. Bovendien kunnen exportbeperkingen en geopolitieke spanningen, met name tussen de VS, China en de EU, de toegang tot kritische technologieën en markten beperken, zoals aangetoond door recente exportbeperkingen op geavanceerde halfgeleiderapparatuur door het Amerikaanse ministerie van Handel (U.S. Department of Commerce).

• Technische Complexiteit: Het bereiken van de vereiste meetnauwkeurigheid voor EUV-processen vereist geavanceerde engineering en aanzienlijke expertise, waardoor de pool van capabele toetreders beperkt is.
• Hoge Kapitaaleisen: De kosten van R&D, productie en kwalificatie van EUV metrologiehulpmiddelen zijn prohibitief, vaak vereisend partnerschappen of aanzienlijke financiële ondersteuning.
• Risico’s in de Toeleveringsketen: Afhankelijkheid van gespecialiseerde leveranciers voor optiek, detectoren en EUV-bronnen vergroot de blootstelling aan verstoringen.
• Regelgevende en IP Barrières: Navigeren door exportbeperkingen en het vermijden van IP-inbreuken zijn cruciale hindernissen voor marktdeelnemers.

Deze factoren creëren samen een hoge toetredingsdrempel, ten gunste van gevestigde spelers met diepgaande technische expertise, robuuste toeleveringsketens en sterke IP-portefeuilles. Als gevolg hiervan blijft de EUV-lithografie metrologie markt in 2025 sterk geconsolideerd, met beperkte kansen voor nieuwe toetreders, tenzij ze ontwrichtende innovaties introduceren of strategische allianties vormen met gevestigde spelers.

Kansen en Strategische Aanbevelingen

De Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie markt in 2025 staat op het punt om significante groei te realiseren, aangedreven door de toenemende adoptie van EUV-lithografie in de geavanceerde halfgeleiderproductie. Terwijl chipmakers overstappen naar sub-7nm en 5nm knooppunten, neemt de vraag naar precieze metrologieoplossingen om het EUV-proces te monitoren en te controleren toe. Dit creëert verschillende belangrijke kansen en strategische aanbevelingen voor belanghebbenden in de sector.

• Uitbreiding in Geavanceerde Knooppuntproductie: De proliferatie van EUV-hulpmiddelen in hoge-volume productie, met name door toonaangevende foundries en geïntegreerde fabrikanten, versnelt de behoefte aan geavanceerde metrologieoplossingen. Bedrijven zouden zich moeten richten op het ontwikkelen van metrologie systemen die in staat zijn om de unieke uitdagingen van EUV aan te pakken, zoals stochastische defecten en overlay controle op atomair niveau. Strategische partnerschappen met belangrijke chipmakers zoals TSMC en Samsung Electronics kunnen vroegtijdige toegang bieden tot evoluerende eisen en co-ontwikkelingsmogelijkheden bevorderen.
• Integratie van AI en Machine Learning: De complexiteit van EUV-processen vereist het gebruik van kunstmatige intelligentie (AI) en machine learning (ML) voor real-time data-analyse en defectdetectie. Metrologie leveranciers zouden moeten investeren in AI-gedreven analytics platforms om procescontrole en opbrengstbeheer te verbeteren, en zo hun aanbiedingen te differentiëren in een concurrerende landschap.
• Focus op In-Line en In-Situ Metrologie: Terwijl fabs proberen stilstand te minimaliseren en de doorvoer te maximaliseren, is er een groeiende voorkeur voor in-line en in-situ metrologie oplossingen. Bedrijven zoals KLA Corporation en ASML Holding zijn hier al in gevorderd. Nieuwe toetreders moeten prioriteit geven aan de ontwikkeling van niet-destructieve, hoge-snelheid metrologiehulpmiddelen die naadloos in EUV-productielijnen kunnen worden geïntegreerd.
• Geografische Expansie en Lokalisatie: Met de wereldwijde focus op veerkracht van de halfgeleiderleveringsketen, zijn er mogelijkheden voor de uitbreiding van metrologiesupport en service-infrastructuur in sleutelregio’s zoals de Verenigde Staten, Europa en Oost-Azië. Het opzetten van lokale R&D- en klantenservicecentra kan helpen om marktaandeel te veroveren en snel in te spelen op klantenbehoeften.
• Samenwerking met Onderzoeksconsortia: Betrokkenheid bij industrieconsortia zoals imec en SEMATECH kan innovatie en standaardisering in EUV metrologie versnellen, ervoor zorgen dat het in lijn blijft met industriewegkaarten en facilitateren van een vroege adoptie van nieuwe technologieën.

Samengevat biedt de EUV-lithografie metrologie markt in 2025 robuuste kansen voor groei door technologische innovatie, strategische partnerschappen en geografische expansie. Bedrijven die proactief inspelen op de evoluerende behoeften van geavanceerde halfgeleiderproductie zullen goed gepositioneerd zijn om waarde te veroveren in deze dynamische sector.

Toekomstvisie: Opkomende Toepassingen en Lange Termijn Trends

De toekomstvisie voor Extreme Ultraviolet (EUV) Lithografie Metrologie wordt gevormd door de snelle evolutie van de halfgeleiderproductie, met opkomende toepassingen en lange termijn trends die wijzen op een verhoogde adoptie en technologische verfijning door 2025 en verder. Terwijl chipmakers zich richten op sub-5nm en zelfs 2nm knooppunten, neemt de vraag naar precieze, hoge-doorvoer metrologieoplossingen toe. EUV metrologie zal naar verwachting een cruciale rol spelen bij het mogelijk maken van deze geavanceerde knooppunten, vooral omdat traditionele optische metrologie technieken hun fysieke en technische grenzen bereiken.

Opkomende toepassingen voor EUV metrologie zijn nauw verbonden met de integratie van High-NA (Numerical Aperture) EUV lithografiesystemen, die naar verwachting in 2025 in een pilotproductie zullen komen. Deze systemen vereisen metrologiehulpmiddelen die in staat zijn om steeds kleinere features en complexe 3D-structuren, zoals gate-all-around (GAA) transistors en geavanceerde geheugenarchitecturen, te resolveren. De industrie ziet een verschuiving naar in-line, real-time metrologieoplossingen die onmiddellijke feedback kunnen bieden tijdens het lithografieproces, waardoor cyclustijden worden verminderd en opbrengsten verbeteren. Bedrijven zoals ASML en KLA Corporation investeren zwaar in de ontwikkeling van actinische (EUV-golflengte) inspectie- en metrologiehulpmiddelen om aan deze behoeften te voldoen.

Lange termijn trends geven aan dat er een convergentie plaatsvindt tussen metrologie en kunstmatige intelligentie (AI) en machine learning (ML) om defectdetectie, procescontrole en voorspellend onderhoud te verbeteren. De integratie van AI-gedreven analytics zal naar verwachting de norm worden, waardoor snellere interpretatie van complexe metrologiedata en een meer adaptieve procesoptimalisatie mogelijk wordt. Bovendien drijft de toenemende complexiteit van EUV-maskers en pellicles de vraag naar geavanceerde masker metrologie en inspectieoplossingen, zoals benadrukt in recente marktanalyserapporten door TechInsights en SEMI.

• Uitbreiding van actinische metrologie voor directe EUV-golflengte inspectie
• Adoptie van hybride metrologie benaderingen die meerdere meettechnieken combineren
• Toegenomen automatisering en AI-integratie voor real-time procescontrole
• Ontwikkeling van metrologiesolutions voor nieuwe apparaatarchetypen (bv. GAA, 3D NAND)

Tegen 2025 zal de EUV-lithografie metrologie markt naar verwachting robuuste groei zien, aangedreven door de overgang naar geavanceerde knooppunten en de behoefte aan hogere opbrengst en lagere defectiviteit. De evolutie van de sector zal cruciaal zijn in het ondersteunen van de roadmap van de halfgeleiderindustrie, om ervoor te zorgen dat schaling doorgaat in lijn met Moore’s Law en de eisen van toepassingen van de volgende generatie zoals AI, 5G en high-performance computing (Gartner).

Bronnen & Referenties

• ASML Holding NV
• KLA Corporation
• Hitachi High-Tech
• Thermo Fisher Scientific
• Nikon
• MarketsandMarkets
• imec
• TechInsights